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  1. 大阪産業大学論集
  1. 大阪産業大学論集
  2. 自然科学編
  1. 大阪産業大学論集
  2. 自然科学編
  3. 115

Low Resistivity Transparent Conducting Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition

https://osu.repo.nii.ac.jp/records/1312
https://osu.repo.nii.ac.jp/records/1312
257c5ea0-c175-4530-8d01-3483f28fde87
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00004175692.pdf KJ00004175692.pdf (1.3 MB)
Item type 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2004-02-28
タイトル
タイトル Low Resistivity Transparent Conducting Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
言語 ja
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Low resistivity
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Indium tin oxide films
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Al-doped zinc oxide film
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Pulsed laser deposition
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Surface flatness
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Interaction between plume and magnetic field
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Target-to-substrate distance
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Liquid crystal transparent electrode
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Organic electroluminescence transparent anode
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 High deposition rate
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ページ属性
内容記述タイプ Other
内容記述 P(論文)
記事種別(日)
論文
記事種別(英)
en
Article
論文名よみ
その他のタイトル Low Resistivity Transparent Conducting Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
言語 en
著者名(日) 鈴木, 晶雄

× 鈴木, 晶雄

ja 鈴木, 晶雄

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松下, 辰彦

× 松下, 辰彦

ja 松下, 辰彦

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青木, 孝憲

× 青木, 孝憲

ja 青木, 孝憲

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安倉, 秀明

× 安倉, 秀明

ja 安倉, 秀明

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奥田, 昌宏

× 奥田, 昌宏

ja 奥田, 昌宏

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著者名よみ スズキ, アキオ

× スズキ, アキオ

ja-Kana スズキ, アキオ

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マツシタ, タツヒコ

× マツシタ, タツヒコ

ja-Kana マツシタ, タツヒコ

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アオキ, タカノリ

× アオキ, タカノリ

ja-Kana アオキ, タカノリ

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アグラ, ヒデアキ

× アグラ, ヒデアキ

ja-Kana アグラ, ヒデアキ

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オクダ, マサヒロ

× オクダ, マサヒロ

ja-Kana オクダ, マサヒロ

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著者名(英) SUZUKI, Akio

× SUZUKI, Akio

en SUZUKI, Akio

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MATSUSHITA, Tatsuhiko

× MATSUSHITA, Tatsuhiko

en MATSUSHITA, Tatsuhiko

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AOKI, Takanori

× AOKI, Takanori

en AOKI, Takanori

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AGURA, Hideaki

× AGURA, Hideaki

en AGURA, Hideaki

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OKUDA, Masahiro

× OKUDA, Masahiro

en OKUDA, Masahiro

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著者所属(日)
大阪産業大学工学部電気電子工学科
著者所属(日)
大阪産業大学工学部電気電子工学科
著者所属(日)
大阪産業大学工学部電気電子工学科
著者所属(日)
大阪産業大学大学院工学研究科
著者所属(日)
大阪府立大学
著者所属(英)
en
Department of Electrical Engineering and Electronics, Osaka Sangyo University
著者所属(英)
en
Department of Electrical Engineering and Electronics, Osaka Sangyo University
著者所属(英)
en
Department of Electrical Engineering and Electronics, Osaka Sangyo University
著者所属(英)
en
Department of Electrical Engineering and Electronics, Osaka Sangyo University
著者所属(英)
en
Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University
抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 In a bid obtain resistivity of on the order of 10^<-5> Ω・cm, we fabricated a series of transparent conducting films from indium tin oxide (ITO) and aluminum-doped zinc oxide (AZO) by pulsed laser deposition (PLD) using an ArF excimer laser (λ=193 nm). With this method, a magnetic field generated by powerful permanent magnets of rare-earth (NdFeB: 1.25 T) was applied perpendicularly to the plume generated between the target and substrate. The flying particles and clusters subjected to Lorentz force are thought to be associated with complicated evaporation processes. Using this method, we obtained an ITO film with a resistivity of 7.2×10^<-5> Ω・cm was obtained. However, the film resistivity obtained by this method was not always reproducible. In an attempt to improve the reproducibility, we adopted a target-to-substrate (T-S) distance of 10 mm instead of the 40~80 mm distance used beforehand. Under this new condition, the substrate was instantaneously exposed to the plume at high temperature. Upon receiving the thermal energies within the plume, the crystallization properties of the films improved and the values of carrier concentration increased. Statistically, our method had a 75 % probability of obtaining ITO films with a resistivity on the order of 10^<-5> Ω・cm. In the fabrication of AZO films, a resistivity of 8.54×10^<-5> Ω・cm was obtained by optimizing the applied magnetic field, T-S distance, and other preparation conditions.
雑誌書誌ID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN0002870X
雑誌書誌ID
識別子タイプ EISSN
関連識別子 0287-1394
書誌情報 ja : 大阪産業大学論集. 自然科学編
en : JOURNAL OF OSAKA SANGYO UNIVERSITY Natural Sciences

巻 115, p. 11-25, 発行日 2004-02-28
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